题目

CMOS门电路与TTL门电路比较()

A.CMOS抗干扰能力强,TTL延迟长

B.CMOS抗干扰能力低,TTL延迟短

C.CMOS抗干扰能力强,TTL延迟短

D.CMOS抗干扰能力低,TTL延迟长

相关标签: 抗干扰  

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相关试题

微机保护装置增强抗干扰能力应采取的方法是()。

A、交流来线经抗干扰处理,直流不经抗干扰处理

B、交流来线可不经抗干扰处理,直流经抗干扰处理

C、交流、直流电源来线必须经抗干扰处理

正交调幅星座图上的点数越多,则()

A、频带利用率越低,抗干扰能力越差

B、频带利用率越低,抗干扰能力越强

C、频带利用率越高,抗干扰能力越差

D、频带利用率越高,抗干扰能力越强

基本比较器与滞回比较器相比()

A、前者灵敏度高,后者抗干扰能力强

B、前者灵敏度差,后者抗干扰能力强

C、前者灵敏度高,后者抗干扰能力差

D、前者灵敏度差,后来抗干扰能力差

以下说法不正确的有()。
A.数字调制可以视作是模拟调制的特例,利用数字信号的开关特性对载波进行控制的方式称为键控
B.数字调制可以视作是模拟调制的开关,利用数字信号的特例特性对载波进行控制的方式称为键控
C.多进制数字调制与二进制调制相比,具有频谱利用率高、抗干扰能力差的特点
D.多进制数字调制与二进制调制相比,具有抗干扰能力高、频谱利用率低的特点

CMOS门电路与TTL门电路比较()

A.CMOS抗干扰能力强,TTL延迟长

B.CMOS抗干扰能力低,TTL延迟短

C.CMOS抗干扰能力强,TTL延迟短

D.CMOS抗干扰能力低,TTL延迟长

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