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(单选题)下列说法不正确的是（）(本题2.0分)
A.单体多字存储器能提高存储器频宽
B.多体存储器低位交叉编址能提高存储器频宽
C.多体存储器高位交叉编址便于扩大存储器容量
D.多体存储器高位交叉编址能提高存储器频宽
相关标签： 存储器
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问题：[单选]按存取方式分类存储器，正确的是（）。
A.RAM、顺序存取存储器、内部存储器、按内容访问存储器B.读写存储器、顺序存取存储器、直接存取存储器、按内容访问存储器C.RAM、顺序存取存储器、直接存取存储器、易失性存储器D.RAM、顺序存取存储器、直接存取存储器、按内容访问存储器
A.RAM、顺序存取存储器、内部存储器、按内容访问存储器B.读写存储器、顺序存取存储器、直接存取存储器、按内容访问存储器C.RAM、顺序存取存储器、直接存取存储器、易失性存储器D.RAM、顺序存取存储器、直接存取存储器、按内容访问存储器
T接线器由话音存储器和控制存储器组成，话音存储器和控制存储器都是（）
A、随机存储器RAM
B、只读存储器ROM
C、顺序存储器RAM
D、随机存储器ROM
下面是关于嵌入式系统使用的存储器的叙述，其中正确的是：（）。
A.静态存储器SRAM是非易失性存储器
B.动态存储器DRAM是非易失性存储器
C.Flash存储器是非易失性存储器
D.EEPROM是易失性存储器
按存取方式分类存储器，正确的是（）。
ARAM、顺序存取存储器、内部存储器、按内容访问存储器
B读写存储器、顺序存取存储器、直接存取存储器、按内容访问存储器
CRAM、顺序存取存储器、直接存取存储器、易失性存储器
DRAM、顺序存取存储器、直接存取存储器、按内容访问存储器
下列说法不正确的是()。
A．单体多字存储器能提高存储器频宽
B．多体存储器低位交叉编址能提高存储器频宽
C．多体存储器高位交叉编址便于扩大存储器容量
D．多体存储器高位交叉编址能提高存储器频宽