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若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：()。
A、集电极电流减小B、集电极与发射极电压VCE上升C、集电极电流增大
相关标签： 集电极 三极管 发射极
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晶体三极管工作在放大状态的条件是()。
- A发射极反偏，集电极正偏
- B发射极反偏，集电极反偏
- C发射极正偏，集电极正偏
- D发射极正偏，集电极反偏
在某一晶体管谐振功率放大器中，已知集电极电源电压VCC=24V，集电极脉冲电流中的直流分量IC0=200mA，输出功率Po=4W，电压利用系数ξ=0.95。试求：集电极电源电压VCC提供的功率P=、集电极效率ηc、谐振阻抗Rp、集电极脉冲电流中的基波分量振幅Ic1m和通角θc。
某高频功率放大器工作于临界状态，输出功率Po=3W，集电极电源电压VCC=24V，通角θc=76°。已知晶体管的饱和临界线跨导gcr=0.5S，晶体管转移特性曲线斜率gc=0.2S，导通电压Ubz=0.6V。试求：集电极电流脉冲的振幅ICM、集电极脉冲电流中的直流分量IC0、集电极脉冲电流中的基波分量振幅Ic1m、集电极电源电压VCC提供的功率P=集电极效率ηc、谐振阻抗Rp、基极电源电压VBB和输入电压信号ub(t)的振幅Ubm。
GTR的主要参数有（）。
A、电流放大系数
B、最高工作电压
C、集电极最大允许电流
D、集电极最大耗散功率
功率晶体管的安全工作区由以下4条曲线限定：集电极-发射极允许最高击穿电压，集电极最大允许直流功率线，集电极最大允许电流线和（）。
A、基极最大允许直流功率线
B、基极最大允许电压线
C、临界饱和线
D、二次击穿功率线