MOSFET的温度特性体现为：（）。
A、温度升高，载流子迁移率升高，跨导升高，阀值电压升高
B、温度升高，载流子迁移率升高，跨导下降，阀值电压下降
C、温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压升高
D、温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压下降
对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。
A、非平衡载流子浓度成正比；
B、平衡载流子浓度成正比；
C、非平衡载流子浓度成反比；
D、平衡载流子浓度成反比。
半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）
A、越高
B、不确定
C、越低
D、不变
