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比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路,试分析两者存在差异的原因。

相关标签: 砷化镓   等效电路  

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相关试题

薄膜太阳能电池的半导体薄膜不能是()。 

A、多晶体

B、非晶体

C、砷化镓

D、单晶体

下列材料属于N型半导体是()。

A.硅中掺有元素杂质磷(P)、砷(As)

B.硅中掺有元素杂质硼(B)、铝(Al)

C.砷化镓掺有元素杂质硅(Si)、碲(TE)

D.砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁

砷化镓膜材料主要通过外延技术制备。主要外延方法有()外延、液相外延和()外延

下列关于集成电路的叙述中错误的是()

A、集成电路是将大量晶体管、电阻及互连线等制作在尺寸很小的半导体单晶片上

B、现代集成电路使用的半导体材料通常是硅或砷化镓

C、集成电路根据它所包含的晶体管数目可分为小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模集成电路

D、集成电路按用途可分为通用和专用两大类。微处理器和存储器芯片都属于专用集成电路

光电池有()种类。

A、硅光电池

B、硒光电池

C、锗光电池

D、砷化镓光电池

E、锂光电池

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